Транзисторы
DIODES INCORPORATED BS107P
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,12А; 0,5Вт; TO92
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
INFINEON TECHNOLOGIES BSP125H6327XTSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,12А; 1,8Вт; SOT223; SIPMOS™
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,12А; 1,8Вт; SOT223; SIPMOS™
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
MICROCHIP (SUPERTEX) DN3145N8-G
Транзистор: N-MOSFET; 450В; 120мА; 1,3Вт; SOT89-3
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FDN336P
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FDN352AP
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FQT1N60CTF_WS
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 0,12А; 2,1Вт; SOT223; QFET®
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
ON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23-3
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
NEXPERIA NX7002AK.215
Транзистор: N-MOSFET; полевой; logic level; 60В; 0,12А; 325мВт
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
DIODES INCORPORATED ZXMP10A17E6TA
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,3А; 1,1Вт; SOT26
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
DIODES INCORPORATED ZXMP3A13FTA
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,3А; 0,625Вт; SOT23
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
Категории
Вид канала
Вид транзистора
Вид упаковки
Выходная мощность
Выходной ток
Импульсный ток
Конструкция диода
Корпус
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Мощность
Напряжение затвор-исток
Напряжение сток-исток
Номинальный ток
Обратное напряжение макс.
Применение
Производитель
Прямой ток
Ток коллектора в импульсе
Ток коллектора
Ток стока
Ток управления