DIODES INCORPORATED ZXMP10A17E6TA Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,3А; 1,1Вт; SOT26

Вид упаковки бобина
лента
Корпус SOT26
Монтаж SMD
Мощность 1.1Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток -100В
Обозначение производителя ZXMP10A17E6TA
Полярность полевой
Производитель DIODES INCORPORATED
Сопротивление в открытом состоянии 450мОм
Тип транзистора P-MOSFET
Ток стока -1.3А
Масса брутто0.02 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru