Транзисторы
INFINEON TECHNOLOGIES BSS131H6327XTSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 240В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23; SIPMOS™
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
INFINEON TECHNOLOGIES BSS139H6327XTSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 0,1А; 0,36Вт; SOT23; SIPMOS™
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP. CEDM7001 TR
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,1А; 0,1Вт; SOT883L
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
IXYS CPC3980ZTR
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 0,1А; 1,8Вт; SOT223
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FDC608PZ
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,8А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
Infineon (IRF) IRF7406PBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,8А; 2,5Вт; SO8; HEXFET®
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
Infineon (IRF) IRF7406TRPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,8А; 2,5Вт; SO8; HEXFET®
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
Infineon (IRF) IRFTS9342TRPBF
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5,8А; 2Вт; TSOP6; HEXFET®
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
TOSHIBA SSM6N15AFU,LF
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,1А; 0,3Вт; SOT363
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
DIODES INCORPORATED ZVN3310FTA
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,1А; 0,33Вт; SOT23
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru
Категории
Вид канала
Вид транзистора
Вид упаковки
Выходная мощность
Выходной ток
Импульсный ток
Конструкция диода
Корпус
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Мощность
Напряжение затвор-исток
Напряжение сток-исток
Номинальный ток
Обратное напряжение макс.
Применение
Производитель
Прямой ток
Ток коллектора в импульсе
Ток коллектора
Ток стока
Ток управления