NEXPERIA PMV65XP.215 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,8А; 833мВт; SOT23
Вид упаковки |
бобина
лента |
Заряд затвора | 7.7нC |
Корпус | SOT23 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 0.833Вт |
Напряжение затвор-исток | ±12В |
Напряжение сток-исток | -20В |
Обозначение производителя | PMV65XP.215 |
Полярность | полевой |
Производитель | NEXPERIA |
Сопротивление в открытом состоянии | 135мОм |
Тип транзистора | P-MOSFET |
Ток стока | -1.8А |
Масса брутто | 0.1 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты