ON SEMICONDUCTOR NTR4101PT1G Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23-3

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 7.5нC
Корпус SOT23-3
Монтаж SMD
Мощность 0.21Вт
Напряжение затвор-исток ±8В
Напряжение сток-исток -20В
Обозначение производителя NTR4101PT1G
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR
Сопротивление в открытом состоянии 210мОм
Тип транзистора P-MOSFET
Ток стока -1.7А
Масса брутто0.03 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru