ON SEMICONDUCTOR MMBFJ177LT1G Транзистор: P-JFET; полевой; 225мВт; SOT23

Вид упаковки бобина
лента
Корпус SOT23
Монтаж SMD
Мощность 225мВт
Напряжение затвор-исток 25В
Обозначение производителя MMBFJ177LT1G
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR
Сопротивление в открытом состоянии 300Ом
Тип транзистора P-JFET
Масса брутто0.04 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru