Infineon (IRF) IRFR5410PBF Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -13А; 66Вт; DPAK; HEXFET®
| Заряд затвора | 38.7нC |
| Корпус | DPAK |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 66Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | -100В |
| Обозначение производителя | IRFR5410PBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 205мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Ток стока | -13А |
| Масса брутто | 0.32 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты