Infineon (IRF) IRF7606TRPBF Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,6А; 1,8Вт; Micro8; HEXFET®
Вид упаковки | бобина |
Корпус | Micro8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 1.8Вт |
Напряжение сток-исток | -30В |
Обозначение производителя | IRF7606TRPBF |
Полярность | полевой |
Производитель | Infineon (IRF) |
Технология | HEXFET® |
Тип транзистора | P-MOSFET |
Ток стока | -3.6А |
Масса брутто | 0.43 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты