Infineon (IRF) IRF5803TRPBF Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,4А; 1,3Вт; TSOP6; HEXFET®
Вид упаковки | бобина |
Корпус | TSOP6 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 1.3Вт |
Напряжение сток-исток | -40В |
Обозначение производителя | IRF5803TRPBF |
Полярность | полевой |
Производитель | Infineon (IRF) |
Технология | HEXFET® |
Тип транзистора | P-MOSFET |
Ток стока | -3.4А |
Масса брутто | 0.07 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты