Infineon (IRF) IRF5803D2TRPBF Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -3,4А; 2Вт; SO8; HEXFET®
| Вид упаковки | бобина |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2Вт |
| Напряжение сток-исток | -40В |
| Обозначение производителя | IRF5803D2TRPBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Ток стока | -3.4А |
| Масса брутто | 0.43 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты