Infineon (IRF) IRF5210STRLPBF Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK; HEXFET®
Вид упаковки | бобина |
Корпус | D2PAK |
Монтаж | SMD |
Мощность | 3.8Вт |
Напряжение сток-исток | -100В |
Обозначение производителя | IRF5210STRLPBF |
Полярность | полевой |
Производитель | Infineon (IRF) |
Технология | HEXFET® |
Тип транзистора | P-MOSFET |
Ток стока | -40А |
Масса брутто | 2.41 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты