Infineon (IRF) IRF5210SPBF Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -40А; 3,8Вт; D2PAK; HEXFET®
| Заряд затвора | 120нC |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 3.8Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | -100В |
| Обозначение производителя | IRF5210SPBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 60мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | P-MOSFET |
| Ток стока | -40А |
| Масса брутто | 1.5 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты