ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FDN306P Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 17нC
Корпус SuperSOT-3
Монтаж SMD
Мощность 0.5Вт
Напряжение затвор-исток ±8В
Напряжение сток-исток -12В
Обозначение производителя FDN306P
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Сопротивление в открытом состоянии 80мОм
Технология PowerTrench®
Тип транзистора P-MOSFET
Ток стока -2.6А
Масса брутто0.03 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru