IXYS IXFN50N80Q2 Транзистор: МОП n-канальный; полевой; 800В; 50А; 1135Вт; SOT227B
| Импульсный ток | 200А |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | винтами |
| Мощность | 1135Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 800В |
| Обозначение производителя | IXFN50N80Q2 |
| Полярность | полевой |
| Производитель | IXYS |
| Рабочая температура | -40...150°C |
| Сопротивление в открытом состоянии | 160мОм |
| Технология | HiPerFET™ |
| Тип модуля | транзисторный |
| Ток стока | 50А |
| Электрический монтаж | винтами |
| Масса брутто | 0 mg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты