Infineon (IRF) IRF640NLPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 18А; 150Вт; TO262; HEXFET®
| Заряд затвора | 44.7нC |
| Корпус | TO262 |
| Монтаж | THT |
| Мощность | 150Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 200В |
| Обозначение производителя | IRF640NLPBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 150мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 18А |
| Масса брутто | 1.57 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты