Infineon (IRF) IRF1010EPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 81А; 170Вт; TO220AB; HEXFET®
| Заряд затвора | 86.6нC |
| Корпус | TO220AB |
| Монтаж | THT |
| Мощность | 170Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 60В |
| Обозначение производителя | IRF1010EPBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 12мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 81А |
| Масса брутто | 1.98 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты