INFINEON TECHNOLOGIES IPS110N12N3GBKMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 75А; 136Вт; IPAK; OptiMOS™ 3

Корпус IPAK
Монтаж THT
Мощность 136Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 120В
Обозначение производителя IPS110N12N3GBKMA1
Полярность полевой
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Сопротивление в открытом состоянии 11мОм
Технология OptiMOS™ 3
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 75А
Масса брутто0.81 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru