INFINEON TECHNOLOGIES IPI086N10N3GXKSA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3

Корпус PG-TO262-3
Монтаж THT
Мощность 125Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 100В
Обозначение производителя IPI086N10N3GXKSA1
Полярность полевой
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Сопротивление в открытом состоянии 8.6мОм
Технология OptiMOS™ 3
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 80А
Масса брутто1.53 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru