MICROSEMI APT5017BVRG Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 30А; 370Вт; TO247
| Вид упаковки | туба |
| Заряд затвора | 300нC |
| Корпус | TO247 |
| Монтаж | THT |
| Мощность | 370Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Напряжение сток-исток | 500В |
| Обозначение производителя | APT5017BVRG |
| Полярность | полевой |
| Производитель | MICROSEMI |
| Сопротивление в открытом состоянии | 170мОм |
| Технология | POWER MOS V® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 30А |
| Масса брутто | 6 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты