VISHAY SI4178DY-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8

Заряд затвора | 12нC |
Корпус | SO8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 5Вт |
Напряжение затвор-исток | ±25В |
Напряжение сток-исток | 30В |
Обозначение производителя | SI4178DY-T1-GE3 |
Полярность | полевой |
Производитель | VISHAY |
Сопротивление в открытом состоянии | 33мОм |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Ток стока | 6.7А |
Масса брутто | 0.27 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты