ON SEMICONDUCTOR MGSF2N02ELT1G Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,8А; 1,25Вт; SOT23-6

Вид упаковки |
бобина
лента |
Заряд затвора | 3.5нC |
Корпус | SOT23-6 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 1.25Вт |
Напряжение затвор-исток | ±8В |
Напряжение сток-исток | 20В |
Обозначение производителя | MGSF2N02ELT1G |
Полярность | полевой |
Производитель | ON SEMICONDUCTOR |
Сопротивление в открытом состоянии | 85мОм |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Ток стока | 2.8А |
Масса брутто | 0.1 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты