Infineon (IRF) IRFS59N10DPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 59А; 200Вт; D2PAK; HEXFET®
| Заряд затвора | 76нC |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 200Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Обозначение производителя | IRFS59N10DPBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 25мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 59А |
| Масса брутто | 1.48 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты