Infineon (IRF) IRFR120NPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 9,1А; 39Вт; DPAK; HEXFET®
Заряд затвора | 16.7нC |
Корпус | DPAK |
Монтаж | SMD |
Мощность | 39Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Напряжение сток-исток | 100В |
Обозначение производителя | IRFR120NPBF |
Полярность | полевой |
Производитель | Infineon (IRF) |
Сопротивление в открытом состоянии | 210мОм |
Технология | HEXFET® |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Ток стока | 9.1А |
Масса брутто | 0.32 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты