Infineon (IRF) IRFHM830TRPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 21А; 2,7Вт; PQFN3.3X3.3

Вид упаковки бобина
Корпус PQFN3.3X3.3
Монтаж SMD
Мощность 2.7Вт
Напряжение сток-исток 30В
Обозначение производителя IRFHM830TRPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Технология HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 21А
Масса брутто0.43 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru