Infineon (IRF) IRFHM830DTRPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 2,8Вт; PQFN5X6; HEXFET®

Вид упаковки бобина
Корпус PQFN5X6
Монтаж SMD
Мощность 2.8Вт
Напряжение сток-исток 30В
Обозначение производителя IRFHM830DTRPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Технология HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 20А
Масса брутто0.43 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru