Infineon (IRF) IRFHM830DTRPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 2,8Вт; PQFN5X6; HEXFET®
Вид упаковки | бобина |
Корпус | PQFN5X6 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 2.8Вт |
Напряжение сток-исток | 30В |
Обозначение производителя | IRFHM830DTRPBF |
Полярность | полевой |
Производитель | Infineon (IRF) |
Технология | HEXFET® |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Ток стока | 20А |
Масса брутто | 0.43 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты