Infineon (IRF) IRFH5210TRPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 10А; 3,6Вт; PQFN5X6; HEXFET®

Вид упаковки бобина
Корпус PQFN5X6
Монтаж SMD
Мощность 3.6Вт
Напряжение сток-исток 100В
Обозначение производителя IRFH5210TRPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Технология HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 10А
Масса брутто0.43 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru