Infineon (IRF) IRF8010SPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 260Вт; D2PAK; HEXFET®
| Заряд затвора | 81нC |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 260Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Обозначение производителя | IRF8010SPBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 15мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 80А |
| Масса брутто | 1.53 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты