Infineon (IRF) IRF7853TRPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 8,3А; 2,5Вт; SO8; HEXFET®

Вид упаковки бобина
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение сток-исток 100В
Обозначение производителя IRF7853TRPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Технология HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 8.3А
Масса брутто0.43 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru