Infineon (IRF) IRF7807VPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,3А; 2,5Вт; SO8; HEXFET®

Заряд затвора 9.5нC
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 30В
Обозначение производителя IRF7807VPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Сопротивление в открытом состоянии 25мОм
Технология HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 8.3А
Масса брутто1.93 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru