Infineon (IRF) IRF7807VPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 8,3А; 2,5Вт; SO8; HEXFET®
Заряд затвора | 9.5нC |
Корпус | SO8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 2.5Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Напряжение сток-исток | 30В |
Обозначение производителя | IRF7807VPBF |
Полярность | полевой |
Производитель | Infineon (IRF) |
Сопротивление в открытом состоянии | 25мОм |
Технология | HEXFET® |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Ток стока | 8.3А |
Масса брутто | 1.93 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты