Infineon (IRF) IRF7807APBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 30В; 6,6А; 2,5Вт; SO8
Заряд затвора | 12нC |
Корпус | SO8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 2.5Вт |
Напряжение затвор-исток | ±12В |
Напряжение сток-исток | 30В |
Обозначение производителя | IRF7807APBF |
Полярность | полевой |
Производитель | Infineon (IRF) |
Сопротивление в открытом состоянии | 25мОм |
Технология | HEXFET® |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Ток стока | 6.6А |
Масса брутто | 0 mg |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты