INTERNATIONAL RECTIFIER IRF6708S2TR1PBF Транзистор: МОП n-канальный; полевой; HEXFET; 30В; 36А; 20Вт
| Заряд затвора | 6.6нC |
| Корпус | DirectFET |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 20Вт |
| Напряжение затвор-исток | 20В |
| Напряжение сток-исток | 30В |
| Обозначение производителя | IRF6708S2TR1PBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | INTERNATIONAL RECTIFIER |
| Сопротивление в открытом состоянии | 14.3мОм |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 7.6К/Вт |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 36А |
| Масса брутто | 0 mg |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты