Infineon (IRF) IRF6691TRPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 32А; 2,8Вт; DirectFET; HEXFET®
Вид упаковки | бобина |
Корпус | DirectFET |
Монтаж | SMD |
Мощность | 2.8Вт |
Напряжение сток-исток | 20В |
Обозначение производителя | IRF6691TRPBF |
Полярность | полевой |
Производитель | Infineon (IRF) |
Технология | HEXFET® |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Ток стока | 32А |
Масса брутто | 0 mg |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты