Infineon (IRF) IRF6691TRPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 32А; 2,8Вт; DirectFET; HEXFET®

Вид упаковки бобина
Корпус DirectFET
Монтаж SMD
Мощность 2.8Вт
Напряжение сток-исток 20В
Обозначение производителя IRF6691TRPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Технология HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 32А
Масса брутто0 mg
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru