Infineon (IRF) IRF6662TRPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 100В; 8,3А; 89Вт; DirectFET

Корпус DirectFET
Монтаж SMD
Мощность 89Вт
Напряжение сток-исток 100В
Обозначение производителя IRF6662TRPBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Технология HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 8.3А
Масса брутто0 mg
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru