Infineon (IRF) IRF6655TR1PBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4,2А; 42Вт; DirectFET; HEXFET®

Вид упаковки бобина
Корпус DirectFET
Монтаж SMD
Мощность 42Вт
Напряжение сток-исток 100В
Обозначение производителя IRF6655TR1PBF
Полярность полевой
Производитель Infineon (IRF)
Технология HEXFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 4.2А
Масса брутто0.43 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru