Infineon (IRF) IRF630NSPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9,5А; 82Вт; D2PAK; HEXFET®
| Заряд затвора | 23.3нC |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 82Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 200В |
| Обозначение производителя | IRF630NSPBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 300мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 9.5А |
| Масса брутто | 1.51 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты