Infineon (IRF) IRF5801TRPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6; HEXFET®
| Вид упаковки | бобина |
| Корпус | TSOP6 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 2Вт |
| Напряжение сток-исток | 200В |
| Обозначение производителя | IRF5801TRPBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 0.6А |
| Масса брутто | 0.07 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты