Infineon (IRF) IRF1018ESPBF Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 79А; 110Вт; D2PAK; HEXFET®
| Заряд затвора | 46нC |
| Корпус | D2PAK |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 110Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 60В |
| Обозначение производителя | IRF1018ESPBF |
| Полярность | полевой |
| Производитель | Infineon (IRF) |
| Сопротивление в открытом состоянии | 8.4мОм |
| Технология | HEXFET® |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 79А |
| Масса брутто | 1.5 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты