INFINEON TECHNOLOGIES IPB123N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 58А; 94Вт; PG-TO263-3

Корпус PG-TO263-3
Монтаж SMD
Мощность 94Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 100В
Обозначение производителя IPB123N10N3GATMA1
Полярность полевой
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Сопротивление в открытом состоянии 12.3мОм
Технология OptiMOS™ 3
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 58А
Масса брутто1.56 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru