INFINEON TECHNOLOGIES IPB083N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO263-3
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 125Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Обозначение производителя | IPB083N10N3GATMA1 |
| Полярность | полевой |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Сопротивление в открытом состоянии | 8.3мОм |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 80А |
| Масса брутто | 1.57 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты