INFINEON TECHNOLOGIES IPB049NE7N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 80А; 150Вт; PG-TO263-3
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 150Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 75В |
| Обозначение производителя | IPB049NE7N3GATMA1 |
| Полярность | полевой |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Сопротивление в открытом состоянии | 4.9мОм |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 80А |
| Масса брутто | 0.5 g |
| Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты