INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

Корпус PG-TO263-3
Монтаж SMD
Мощность 214Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 100В
Обозначение производителя IPB042N10N3GATMA1
Полярность полевой
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Сопротивление в открытом состоянии 4.2мОм
Технология OptiMOS™ 3
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 100А
Масса брутто2.12 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru