INFINEON TECHNOLOGIES IPB038N12N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 120В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3

Корпус PG-TO263-3
Монтаж SMD
Мощность 300Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 120В
Обозначение производителя IPB038N12N3GATMA1
Полярность полевой
Производитель INFINEON TECHNOLOGIES
Сопротивление в открытом состоянии 3.8мОм
Технология OptiMOS™
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 120А
Масса брутто3.06 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru