ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FQD2N100TM Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1000В; 1А; 50Вт; DPAK; QFET®

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 15.5нC
Корпус DPAK
Монтаж SMD
Мощность 50Вт
Напряжение затвор-исток ±30В
Напряжение сток-исток 1000В
Обозначение производителя FQD2N100TM
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Сопротивление в открытом состоянии 9000мОм
Технология QFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока
Масса брутто1.5 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru