ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FQB55N10TM Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 38,9А; 155Вт; D2PAK; QFET®
Вид упаковки |
бобина
лента |
Заряд затвора | 98нC |
Корпус | D2PAK |
Монтаж | SMD |
Мощность | 155Вт |
Напряжение затвор-исток | ±25В |
Напряжение сток-исток | 100В |
Обозначение производителя | FQB55N10TM |
Полярность | полевой |
Производитель | ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) |
Сопротивление в открытом состоянии | 26мОм |
Технология | QFET® |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Ток стока | 38.9А |
Масса брутто | 3 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты