ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FQB55N10TM Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 38,9А; 155Вт; D2PAK; QFET®

Вид упаковки бобина
лента
Заряд затвора 98нC
Корпус D2PAK
Монтаж SMD
Мощность 155Вт
Напряжение затвор-исток ±25В
Напряжение сток-исток 100В
Обозначение производителя FQB55N10TM
Полярность полевой
Производитель ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Сопротивление в открытом состоянии 26мОм
Технология QFET®
Тип транзистора N-MOSFET
Ток стока 38.9А
Масса брутто3 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru
Условия поставки уточняйте: radioniks.ru@mail.ru