DIODES INCORPORATED ZXMHC6A07T8TA Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 60/-60В; 1,4/-1,2А; 1,3Вт

Вид упаковки бобина
лента
Корпус SOT223-8
Монтаж SMD
Мощность 1.3Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 60/-60В
Обозначение производителя ZXMHC6A07T8TA
Полярность полевой
Производитель DIODES INCORPORATED
Сопротивление в открытом состоянии 450мОм
Тип транзистора N/P-MOSFET x2
Ток стока 1.4/-1.2А
Масса брутто0.13 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru