DIODES INCORPORATED ZXMD63C03XTA Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2/-2,3А; 1,25Вт; MSOP8

Вид упаковки бобина
лента
Корпус MSOP8
Монтаж SMD
Мощность 1.25Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 30/-30В
Обозначение производителя ZXMD63C03XTA
Полярность полевой
Производитель DIODES INCORPORATED
Сопротивление в открытом состоянии 135/185мОм
Тип транзистора N/P-MOSFET
Ток стока 2/-2.3А
Масса брутто1 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru