DIODES INCORPORATED ZXMC4559DN8TA Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-60В; 3,6/-2,6А; 1,25Вт; SO8

Вид упаковки бобина
лента
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 1.25Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 60/-60В
Обозначение производителя ZXMC4559DN8TA
Полярность полевой
Производитель DIODES INCORPORATED
Сопротивление в открытом состоянии 75мОм
Тип транзистора N/P-MOSFET
Ток стока 3.6/-2.6А
Масса брутто0.1 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru