DIODES INCORPORATED ZXMC3F31DN8TA Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,5/-7А; 2,1Вт; SO8

Вид упаковки бобина
лента
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.1Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 30/-30В
Обозначение производителя ZXMC3F31DN8TA
Полярность полевой
Производитель DIODES INCORPORATED
Сопротивление в открытом состоянии 24/46мОм
Тип транзистора N/P-MOSFET
Ток стока 4.5/-7А
Масса брутто1 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru