DIODES INCORPORATED ZXMC3A17DN8TA Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,4/-5,4А; 2,1Вт; SO8
Вид упаковки |
бобина
лента |
Корпус | SO8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 2.1Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Напряжение сток-исток | 30/-30В |
Обозначение производителя | ZXMC3A17DN8TA |
Полярность | полевой |
Производитель | DIODES INCORPORATED |
Сопротивление в открытом состоянии | 50/70мОм |
Тип транзистора | N/P-MOSFET |
Ток стока | 4.4/-5.4А |
Масса брутто | 1 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты