DIODES INCORPORATED ZXMC3A17DN8TA Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4,4/-5,4А; 2,1Вт; SO8

Вид упаковки бобина
лента
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.1Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 30/-30В
Обозначение производителя ZXMC3A17DN8TA
Полярность полевой
Производитель DIODES INCORPORATED
Сопротивление в открытом состоянии 50/70мОм
Тип транзистора N/P-MOSFET
Ток стока 4.4/-5.4А
Масса брутто1 g
Срок поставкиУточняйте radioniks.ru@mail.ru