VISHAY SI4925DDY-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5,9А; 5Вт; SO8

Вид упаковки |
бобина
лента |
Заряд затвора | 50нC |
Корпус | SO8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 5Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Напряжение сток-исток | -30В |
Обозначение производителя | SI4925DDY-T1-GE3 |
Полярность | полевой |
Производитель | VISHAY |
Сопротивление в открытом состоянии | 41мОм |
Тип транзистора | P-MOSFET x2 |
Ток стока | -5.9А |
Масса брутто | 0.34 g |
Срок поставки | Уточняйте radioniks.ru@mail.ru |
Контакты